شبيه سازي مدل يك بعدي باريكه مولكولي خالص(MBE) براي رشد لايه نازك

Simulation of one-dimensional molecular beam epitaxy (MBE) Model for thin film growth

در اين مقاله ما مكانيزم رشد لايه نازك روش باريكه مولكولي خالص (MBE) را بر اساس مدل داس سرما و تامبورني مطالعه كرديم. پهناي سطح و تابع همبستگي ارتفاع- ارتفاع به منظور دست يابي به رفتار مقياسي ديناميكي اين مدل محاسبه گرديد. نتايج ما نشان مي دهد كه دو رژيم متفاوت براي تحول زماني پهناي فصل مشترك وجود دارد. اين دو رژيم مشخص به رفتار هاي خطي و غير خطي مدل MBE مرتبط مي شود.

In this paper, we study the thin film growth mechanism of the discrete Molecular Beam Epitaxy (MBE) based on Das Sarma and Tamborenea (DT) model. Surface width and height-height correlation function are calculated to estimate the dynamic scaling behaviors in this model. Our results demonstrate that there are two different regimes for the temporal evolution of the interface width. These distinct regimes are related to linear and non-linear behaviors of MBE growth model