بررسي اثر نوع هالوژن بر تغيير گاف انرژي در ساختارهاي پروسكايتي

The effect of the halogen atoms on the tuning the band gap in the perovskite structures

با توجه به اهميت بكارگيري ساختار هاي پروسكايتي در نسل جديد سلول هاي خورشيدي، مطالعه بر روي خواص الكترونيكي و اپتيكي اين ساختار ها ضروري به نظر مي رسد. بنابراين در اين مقاله ابتدا ساختار پروسكايتي آلي- معدني ; CH3NH , PbX با هالوژنهاي مختلف C و X = I ، B ستز شده و سپس تاثير نوع هالوژن در ساختار مذكور بر روي خواص الكترونيكي آنها به طور تجربي مطالعه شده است. نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه با تغيير نوع هالوژن، به راحتي گاف انرژي اين ساختارها را مي توان كنترل كرد. از اينرو اميد مي رود كه بتوان از اين ساختارها در ادوات الكترونيكي و اپتيكي بهره برد.

According to the recent remarkable developments of lead halide perovskite solar cells, investigation of the optical and electronical properties of perovskite structures seems to be necessary. In this paper, firstly Organic–inorganic CH3NH3PbX3 perovskite hybrids with X= Cl, Br and I are prepared by solution chemistry method. The effect of halogen atom on the electronical properties in this structure is studied experimentally. Our study concludes that the band gap energy can be tuned by varying the halogen atoms. Thus we believe that our studies will be beneficial for the fabrication of electronic and optical devises