ترابرد اسپين و دره قابل كنترل در سيليسين تحت كرنش

Controllable spin and valley transport in strained silicene

ما يك فيلتر كامل دره (ولي) - اسپين و دره در سيليسين تحت كرنش پيشنهاد مي كنيم. اين ناشي از پتانسيل برداري مؤثري است كه بواسطه كرنش در سيليسين ايجاد مي شود. علاوه بر آن، ما يافتيم كه قطبش اسپين دره كامل در سيليسين تحت كرنش مي تواند در حضور ميدان الكتريكي عمودي و بدون ميدان تبادلي ايجاد شود. همچنين ما نشان داديم كه دره فيلترينگ و دره - اسپين فيلترينگ به راستاي كرنش اعمال شده در حضور ميدان الكتريكي عمودي وابسته است، در اينجا، راستاي قطبش اسپيني الكترونها براي دره هاي K و K، مي تواند به آساني توسط ميدان الكتريكي عمود بر صفحه سيليسين تحت كرنش كنترل شود.

We propose a perfect valley-spin and valley filter in strained silicene. This is due to effective vector potential which induced by strain in silicene. In addition, we found that perfect spin-valley polarization can be created in the presence of perpendicular electric field and without exchange field. We also show that valley and valleyspin filtering depends on the direction applied tension in the presence of perpendicular electric field. Here, the spin polarization direction of electrons for valleys 𝐾 and 𝐾 can easily be controlled by an electric field normal to plane of strained silicene