نانو نوارهاي زيگزاگي سيليسن در حضور ميدان هاي الكتريكي و مغناطيسي خارجي

Zigzag silicene nanoribbons in the presence of external magnetic and electric fields

در اين پژوهش به بررسي خواص الكتروني نانو نوار هاي زيگزاگي سيليسن در حضور ميدان هاي الكتريكي عمود و مغناطيسي تبا دلي پرداخته ايم. اين شبيه سازي با توجه به مدل تنگ بست تك نواري در حضور برهمكنش اسپين مدار ذاتي (با قدرت) انجام شده است. نتايج نشان مي دهند كه ميدان الكتريكي يك گاف انرژي ايجاد مي كند و ميدان مغناطيسي، تقارن واروني وابسته به اسپين را مي شكند. همچنين با تغيير اندازه هاي ميدان الكتريكي و مغناطيسي (قدرت ميدان مغناطيسي ) در حد ( ثابت خميدگي) يك نيمه رساناي مغناطيسي دو قطبي در نانو نوارهاي زيگزاگي سيلين در حضور برهمكنش اسپين مدار ذاتي خواهيم داشت. با توجه به نتايج به دست آمده، گاف هاي انرژي وابسته به اسپين مربوط به نيمه رساناي مغناطيسي دو قطبي با تغيير ميدان هاي خارجي به شدت تغيير مي كنند.

In this research we studied the electronic properties of the zigzag silicene nanoribbons (ZSiNR) in the presence of the electric and magnetic fields. This simulation has been done using the singleband tight-binding approximation in the presence of the intrinsic spin-orbit interaction (whit strength ). Our results show that the electric field induces a energy gap while the magnetic field breaks the spin-inverse symmetry. Also, by variation of electric and exchange magnetic (Magnetic field strength ) field strengths about ( is the buckling parameter) in the presence of the intrinsic spin-orbit interaction in the ZSiNR, we find a bipolar magnetic semiconductor. The results show that the variation of electric and exchange magnetic field strengths could change the value of spin-flip gap in the bipolar magnetic semiconductor