شماره ركورد كنفرانس :
3294
عنوان مقاله :
ويژگي هاي ساختاري و الكتروني تك لايه هاي گرافين گونه (MoxNb1-xS2 (0 ≤ x ≤ 1 : محاسبات اصول اوليه
عنوان به زبان ديگر :
Structural and Electronic Properties of Graphene-Like MoxNb1-xS2 (0 ≤ x ≤ 1) Monolayers: First Principles Calculations
پديدآورندگان :
كشاورز صفري ابراهيم دانشگاه بوعلي سينا - گروه فيزيك , شكري علي اصغر دانشگاه پيام نور تهران - گروه فيزيك
كليدواژه :
ويژگي هاي ساختاري , ويژگي الكتروني , تك لايه ها , گرافين , گونه (MoxNb1-xS2 (0 ≤ x ≤ 1 , نظريه تابعي چگالي , اتم ها
سال انتشار :
بهمن 1395
عنوان كنفرانس :
سيزدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله، با استفاده از محاسبات اصول اوليه مبتني بر نظريه تابعي چگالي به بررسي تغييرات گاف نواري و چگالي حالات آلياژهاي دو بعدي تك لايه MoxNb1-xS2 0 ≤ x ≤ 1 كه داراي ساختاري گرافين گونه است پرداخته ايم. ويژگي هاي ساختاري از قبيل طولهاي پيوند واهلش يافته، ثابت هاي شبكه ضخامت لايه ها و نيز ويژگي هاي الكتروني از قبيل رسانندگي الكتريكي و ساختار نواري اين آلياژ با درصدهاي متفاوتي از اتمهاي موليبدن و نيوبيم به دست آورده ايم. نتايج نشان مي دهند كه ورقه ,Nbs گرافين گونه خالص (0 = X) رسانا بوده و با افزايش در صدد اتم هاي Mo، از ميزان رسانندگي الكتريكي اين آلياژهاي دو بعدي كاسته مي شود، به طوري كه ورقه گرافين MoS2گونه خالص (1 = X) نيمه رساناست.
چكيده لاتين :
In this paper, using the first-principles calculations based on density functional theory (DFT), we have been studied the changes in band-gap and density of states of monolayer MoxNb1-xS2 (0 ≤ x ≤ 1) 2D-alloys that have graphene-like structures. We obtained the structural properties such as relaxed bond lengths, lattice constants, thickness of layers, as well as electronic properties such as electrical conductivity and band structure of these alloys containing of various percentages of molybdenum and niobium atoms. The results show that graphenelike pure NbS2 sheet (x=0) is conductor and as Mo atoms' percentages rise, the value of electrical conductivity of these 2D-alloys is reduced, so that graphene-like pure MoS2 sheet (x=1) is semiconductor
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
1
تا صفحه :
4
لينک به اين مدرک :
بازگشت