بدون پيوند مبتني بر نانولوله كربني

اولين مطالعه هاي عددي بر روي ترانزيستور بدون پيوند مبتني بر نانولوله كربني نشان دادند كه چنين افزارهاي در مقايسه با ترانزيستور بدون پيوند سيليكني، در ابعاد مشابه و با پيكربندي گيت كواكسيال، جريان روشنايي بيشتري توليد مي نمايد، با اين حال به دليل كاف نوار انرژي كوچكتر و اثرات حاصل از محدوديت هاي كوانتومي، در حالت خاموشي، نتايج ضعيف تري را از خود نشان مي دهد. با توجه به آن كه تغيير گاف نوار انرژي نانولوله كربني، يكي از نتايج حاصل از اعمال كرنش تك محوري است، در اين مقاله با تمركز بر روي اين نوع كرنش، اثر اعمال آن را بر مشخصات الكتريكي ترانزيستور بدون پيوند مبتني بر نانولوله كربني با استفاده از روال شبيه سازي تابع گرين غير تعادلي مورد بررسي قرار داده و نتايج مربوط به جريان هاي حالت روشن و خاموش، نسبت جريان روشنايي به خاموشي، تأخير ذاتي، حاصلضرب توان در تأخير و همچنين پارامترهاي موثر در كاربردهاي آنالوگ از جمله فركانس بهره واحد، ترارسانايي گيت و مقاومت خروجي افزاره را مورد تحليل و بررسي بيشتر قرار خواهيم داد. نتايج نشان مي دهند كه كرنش تك محوري تأثيرات قابل توجهي بر روي مشخصات الكتريكي افزاره داشته و با توجه به كاربردهاي متنوع براي اين ترانزيستور، مي توان از آن براي بهبود مشخصات الكتريكي ترانزيستور به منظور استفاده در كاربردهاي خاص استفاده نمود.