رقابت بازتركيبهاي نوري و غيرنوري در چاه هاي كوانتمي چندگانه GaN /AlGaN

The Competition Between the Radiative and Nonradiative Recombinations in GaN/AlGaN Multiple Quantum Wells

رقابت فرآيندهاي بازتركيب نوري و غير نوري با مطالعه وابستگي دمايي زمان واهلش فوتولومينسانس در بازه دمايي 2-300 K براي دو نمونه از چاه هاي كوانتمي چندگانه (x=0.07) GaN/AlxGa(1-x)N كهِ يكي از آنها بدون آلايش و ديگري در ناحيه سد آلايش سيليكوني يافته ، مورد بررسي قرار گرفته است؛ و مشخص شد كه در محدوده دماهاي پايين مكانيسم بازتركيب تابشي غالب بوده وبا افزايش دما مكانيسم بازتركيب غيرتابشي غالب خواهد شد . در اين مطالعه نشان داده شده است كه نمونه آلايش يافته با Si نسبت به نمونه بدون آلايش داراي بازتركيب تابشي قويتر بوده و مكانيزم بازتركيب تابشي در آن تا دماي بالاتري نسبت به بازتركيب غيرتابشي غالب مي باشد

The competition between the radiative and nonradiative recombination processeshas been studied by means of the temperature dependence of the time resolved photoluminescence (TRPL). The first sample is an undoped GaN/AlGaN multiple quantum wells and the second one is a Si modulation-doped one with 9×1019cm-3 doping level. It has been determined that the radiative recombination (RR) mechanism dominates at the low temperature range and with increasing temperature the nonradiative recombination (NRR) will dominate. The results demonstrate that the radiative recombination channel is stronger in the Si doped sample, compared to the undoped one.