كربن نانو لوله هاي نيمه رساناي مغناطيسي

Magnetic Semiconductor Single Wall Carbon Nano Tubes.

دراين مقاله خواص مغناطيسي لوله هاي كربني نيمه رساناي نانو متري تزريق شده با ناخالصي هاي فرومغناطيس مورد بررسي قرار مي گيرد . محاسبه چگالي حالت هاي الكترون هاي اسپين بالا وپايين نشان مي دهد كه اگرجفت شدگي بين اسپين اتمهاي ناخالصي والكترونها قوي باشد چگالي حالت هابراي الكترون هاي هم جهت با اسپين اتمهاي ناخالصي پيوسته مي باشد . در حالي كه براي الكترون با اسپين پايين يك گاف انرژي بين نوارهاي ظرفيت و هدايت وجود دارد يعني سيستم حالت نيمه رسانايي خود را حفظ مي كند .

Properties of a doped semiconductor single wall carbon nano tube by magnetic impurities are investigated. In the case of strong coupling we found that the density of state of parallel electrons with magnetic impurity spin is continuous (metric) while for anti parallel electrons it has a gap between the valance and conduction bands (semiconductor). In the case of weak coupling, both densities of states show semiconductor properties.