شبيه سازي آشكارساز فروسرخ در پنجره مخابراتي 1550 نانومتر بر پايه گرافن

Simulation of IR Detector at Communication Window of 1550nm Based on Graphene

دراين مقاله گزارشي از خواص آشكارسازي نوري پيوند شاتكي گرافن-سيليكون ارائه شده است كه به شبيه سازي ساختار ديود شاتكي گرافن-سيليكون در قالب آشكارساز نوري فروسرخ تحت تابش هاي 1550 نانومتر پرداخته شده است. گرافن داراي خواص كاربردي در ادوات الكترونيكي و اپتوالكترونيكي است. مشخصات آشكارسازي پيوند شاتكي گرافن-سيليكون به وسيله اندازه گيري نمودار جريان-ولتاژ بدون تابش و نيز تحت تابش 1550 نانومتر در پنجره سوم مخابراتي مورد بررسي قرار گرفته است. ميزان پاسخ دهي اندازه گيري شده قطعه در حدود20 ميلي آمپر بر وات است. در اين مقاله همچنين به بررسي اثر توان هاي بالا و اشباع پذيري پاسخ دهي در توان هاي بالا پرداخته شده است.

In this paper, photodetection properties of the Graphene-Silicon schottky junction has been reported. The structure of Graphene-silicon Schottky diode has been simulated in the form of infrared photodetector. Graphene has special properties in electronic and optoelectronic. Characteristic of Graphene-silicon Schottky junction photodetection is investigated by measuring the (current-voltage) curve at the third telecommunication window in 1.55 micrometer. The responsivity is measured about 20mA/W. The effect of increasing the input power is also studied.