شماره ركورد كنفرانس :
3375
عنوان مقاله :
يك سوسازي رسانش حرارتي در فصل مشترك سيليسين تك لايه و دو لايه
عنوان به زبان ديگر :
Thermal rectification in monolayer/bilayer silicene junction
پديدآورندگان :
ولدخاني مصطفي دانشگاه تهران - دانشكده مكانيك , واعظ علائي مهدي دانشگاه تهران - دانشكده فيزيك
كليدواژه :
يك سوسازي رسانش , سيليسين تك لايه و دو لايه , روش شبيه سازي
عنوان كنفرانس :
دوازدهمين كنفرانس ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين پژوهش اثر فصل مشترك سيليسين تك لايه و دو لايه در يك سوسازي حرارتي با استفاده از روش شبيه سازي ديناميك مولكولي غيرتعادلي مورد بررسي قرار گرفته است. نتايج نشان ميدهد در سايزهاي كوچك، سيستم به طور قابل ملاحظه اي رسانش حرارتي در يك جهت را ترجيح ميدهد و هرچه طول افزايش يابد يك سوسازي حرارتي كاهش مي يابد. در اين مقاله همچنين اثر جهت قرارگيري نوارهاي سيليسين درجهات زيگزاگ و دسته صندلي مورد بررسي قرارگرفته كه نتايج
نشان ميدهد، يك سوسازي رسانش گرمايي در جهت زيگزاگ كمي بيشتر از حالت دسته صندلياست.
چكيده لاتين :
In this paper thermal rectification of monolayer-bilayer silicene junction is investigated using non equilibrium
molecular dynamics. It can be seen that in small system sizes the heat transport is preferably in one direction,
and as the length grows the thermal rectification falls. Also the thermal rectification of silicene is investigated
upon the chirality of silicene nano-ribbons, and the results shows that thermal rectification in zigzag direction is
slightly more than armchair direction.