بررسي مكانيسم رسانش الكتريكي DC شيشه هاي Ag 2O-TeO2 -V2 O5 در گستره دمايي پايين

Investigation of DC electrical conductivity of Ag 2O-TeO2 -V2 O5 glasses in low range temperatures

نمونه هاي توده اي آمورف 5xAg2O-40TeO2-(60-x)V2O با 6 درصد مولي متفاوت 0≤X≤50 با روش هاي سرمايش سريع مذاب ساخته شدند. براي بررسي مكانيسم رسان الكتريكي DC نمونه هاي وابستگي دمايي رسانش الكتريكي در گستره دماي 380-150 كلوين اندازه گيري شد. پس از مقايسه نتايج تجربي بدست آمده با مدل هاي نظري جهشي رسانش، سازگاري نتايج تجربي با مدل هاي رسانش جهشي گستره متغير مات، فرايدمان و بلارون كوچك در گستره هاي دمايي بالا و پايين تاييد شد. نتايج اين بررسي ها محاسبه پارامترهاي مختلف رسانش شيشه ها نظير فاصله جهش، چگالي حالات نزديك تر از فرمي، تحرك و چگالي حامل بار مي باشد. نمودارهاي وابستگي دمايي رسانش نمونه ها نشان دهنده وجود رسانت بوني علاوه بر الكتروني در نمونه هاي 50-30 با افزايش تمركز يون هاي نقره در تركيب نمونه ها و نيز تاييد خصلت نيم رسانا بودن نمونه ها مي باشد.

The bulk of xAg2O40TeO2 (60 x)V2O5 amorphous compositions with 6 different molar percentage 0≤X≤50(mol %) have been prepared using the press-melt. For investigation of DC electrical conductivity of glasses, the temperature dependence of the conductivity measurmented in the temperature range 150380k . The experimental results have been analyzed with theoretical models of hopping conduction. The analysis shows that at high temperatures the conductivity data are consistent with Mott's variable range hopping model (VRH) and friedman and Small solaron hopping (SPH) models are valid at low and high temperature range. based upon variable range hopping conduction mechanism, parameters such as hopping distance, density of states near the Fermi energy, carrier mobility and carrier density have been obtained. In the range of x = 30-50 with increasing presence of silver ions in the glass composition makes mixed of ionic conduction and electronic conduction and also show the semiconducting nature of the present samples.