بررسي اثر كشش الاستيك در ساختار الكتروني گرافين سه لايه با چيدمان ABA و ABC

Elastic strain effects in electronic structure of ABA and ABC-stacked trilayer graphene

در اين مقاله اثرات كشش الاستيك بر ساختار الكتروني گرافين سه لايه را به لحاظ نظري بررسي ميكنيم. با استفاده از روش تنگ بست، ساختار الكتروني گرافين سه لايه را بررسي كرده و اثرات كشش را بصورت ميدان پيمانهاي شبه مغناطيسي در هاميلتوني گرافين سه لايه وارد كرده ايم. مشاهده كرديم كه اعمال كشش روي لايه هاي مختلف باعث بوجود آمدن مخروط ديراك از نوار سهمي شكل در راستاي عمود بر كشش اعمالي و ايجاد ناهمسان گردي در ساختار الكتروني گرافين سه لايه با چيدمان ABA و ABC مي شود.

We theoretically discuss the effect of elastic strain on the electronic structure of trilayer graphene. We consider the electronic structure of trilayer graphene by tight binding model and include strain by pseudo magnetic gauge potentials in hamiltonian of trilayer graphene. We explore that by applying strain on different layers, a Dirac cone is formed out of a parabolic band along the direction perpendicular to the applied strain which induces asymmetry in the electronic structure of ABA and ABC-stacked trilayer graphene.