هدايت حرارتي گرافن دولايه AA در حضور ولتاژ باياس

Thermal conductivity of disordered AA-stacked bilayer Graphene in the presence of bias voltage

ما هدايت حرارتي گرافن دو لايه در حضور تزريق اتم هاي ناخالصي پذيرنده در چارچوب مدل تنگبست را بررسي مي كنيم. تأثير پراكندگي از ناخالصي هاي رقيق روي رفتار هدايت حرارتي در رهيافت بورن و با استفاده از رهيافت تابع گرين در تقريب پاسخ خطي مورد مطالعه قرار ميگيرد. ما وابستگي دمايي هدايت حرارتي در غلظت و قدرت پراكندگي متفاوت ناخالصي را بدست آورده ايم و همچنين وابستگي هدايت حرارتي به پتانسيل شيميايي و باياس ولتاژ بررسي شده است. يك قله در نمودار هدايت حرارتي بر حسب پتانسيل شيميايي وجود دارد.هدايت حرارتي براي هر غلظت ناخالصي و قدرت پراكندگي با دما افزايش مييابد.

We investigate the thermal conductivity of bilayer graphene in the presence of acceptor impurity atoms within tight binding model. The impact of scattering of electrons from dilute impurities on the thermal conductivity is studied based on the Born approach using Green’s function method. We have obtained the temperature dependence of thermal conductivity for different scattering strengths and impurity concentrations. Also the dependence of thermal conductivity on the chemical potential and bias voltage has been investigated. There is a peak in the plot of thermal conductivity versus chemical potential. Furthermore thermal conductivity rises with temperature for any value of impurity concentration and scattering strength.