بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي در ديسك هاي تحت كشش گرافين

Magnetic and electronic properties in strained graphene quantum disks

با استفاده از مدل تنگ بست و مدل ميدان موثر هابارد به بررسي خواص الكتروني و مغناطيسي نانو ديسكهاي گرافني تحت كشش پرداخته ايم. بررسيهاي صورت گرفته شامل تغييرات خواص الكتروني و حالتهاي مغناطيسي لبه اي زيگزاگ يك ديسك مستطيلي ميباشد كه اثرات كشش به دو صورت مختلف روي آن اعمال شده است. نتايج ما نشان ميدهد كه مقادير ممانهاي مغناطيسي و گاف انرژي در ديسك هاي مستطيلي با توجه به جهت گيري كشش اعمال شده در ديسك گرافني، مي تواند تغيير كند.

We determine the electronic and magnetic properties of graphene nano disk under strain using Tight binding and mean field Hubbard model. We discuss the electronic properties and spin–edge states in zigzag rectangular graphene disk with two different stain orientations. It is also found that the edge magnetic moments and gap energy in graphene quantum disk may be changed, depending on the orientation of the applied stress.