محاسبه ساختار نواري وخواص الكتروني آلايش هيدروژن در اكسيد روي

Band structure calculation and electronic properties of Hydrogen doped ZnO

خواص الكتروني و ساختار نواري اكسيد روي ورتزايت الائيده با هيدروژن بين جايگاهي با نظريه تابعي چگالي محاسبه شد. اين محاسبات با استفاده از كد محاسباتي كوانتوم اسپرسو و با تقريب گر اديان تعميم يافته (GGA ) انجام شد. نتايج نشان مي دهد +H در جايگاه BC حالت پايدار تري نسبت به جايگاه BC دارد. در اين حالت طول باند A6H-0 0 / 9 و طول باند 0A ZH- H2 / 0 به دست آمد كه در تطبيق با گزارش ديگران است. ناخالصي هيدروژن در اين موقعيت گاف نواري اكسيد روي را مقدار كمي افزايش داده و انرژي فرمي را جابجا مي كند كه مطابق با نتايج تجربي است.

Electronic properties and band structure of wurtzite ZnO interstitial Hydrogen doped with have calculated using Density Function Theory. Calculation performed using Quantum Espresso package with Generalized Gradient Approximation (GGA). Results show that H+ in BC║ site has more instability other than BC┴ site. Length of bands O-H and Zn-H in BC║ site were obtained to be 0.96Å and 2.03Å, respectively, which are consists with others reports. Hydrogen impurity in BC║ site increases band gap and displaces Fermi energy corresponding experimental results.