مطالعه فاز توپولوژي انبوهه و نانو لايه ScPtSb با استفاده از نظريه تابعي چگالي

Topological phase of ScPtSb bulk and nanolayer study using the density functional theory

در اين مقاله ويژگي هاي ساختاري و الكتروني تركيب تيم هاسلر ScPtSb در حالت انبوهه و نانولايه با استفاده از رهيافت هاي LDA GGA و GGA - EV بر مبناي نظريه تابعي چگالي و با استفاده از كد محاسباتي وين بررسي شده است. خواص ساختاري و فاز پايدار اين تركيب در رهيافت هاي GGA و LDA مطالعه شده است. با محاسبه ساختار نواري، فاز توپولوژي و نظم نواري اين تركيب در حالت انبوه و نانولايه مورد مطالعه و مقايسه قرار گرفته است. تاثير فشار بر قدرت وارونگي نواري و چگالي حالت هاي الكتروني اين تركيب و نانولا به آن مورد بررسي قرار گرفته است.

In this paper the structural and electronic properties of ScPtSb half Heusler compound in bulk and nanolayer state within the GGA, LDA and GGA-EV approaches are investigated; The results are obtained using the density functional theory by the Wien2k code. The structural properties and the stable phase of this compound within GGA and LDA approaches are studied. Using the calculated band structure, topological phase and band order of ScPtSb bulk and nanolayer are studied and compared. The effect of pressure on band inversion strength and electron density of states of ScPtSb bulk and nanolayer is investigated