بررسي اثر توزيع تصادفي ناخالصي در ترانزيستورهاي بدون پيوند

Investigation of Random Dopand Fluctuations in Junctionless Transistors

در اين پژوهش تغييرات مشخصات ترانزيستورهاي فت بدون پيوند دوگيتي، مانند ولتاژ آستانه DIBL شيب زير آستانه و جريان اشباع درين در اثر تغيير تصادفي توزيع ناخالصي ها بررسي شده است. به اين منظور يك ترانزيستور فت بدون پيوند دو گيتي سيليكوني با طول گيت 30 nm, ضخامت لايه فعال 9 nm, ضخامت اكسيد nm1 با شبيه سازي هاي متعدد فيزيكي بررسي شده است

The effect of random dopand fluctuations on the device characteristics of junctionless transistors is investigated via extensive physical based simulations. Device characteristics such as threshold voltage, drain induced barrier lowering (DIBL), subthreshold swing, and saturation drain current is investigated. The device under study is a Silicon based dual-gate junctionless transistor with a gate length of 30 nm, active layer of 9 nm, and gate oxide thickness of 1 nm.