محاسبه پتانسيل و جريان - ولتاژ در طول كانال يك ترانزيستور اثر ميدان نانو نواري گرافيني

Calculating of Potential and Current-Voltage Along the Channel of a Graphene Nanoribbon Field-Effect Transistor

در اين مقاله پتانسيل الكتريكي و مشخصات جريان - ولتاژ يك ترانزيستور اثرميدان نانو نواري گرافيني بر اساس ساختاري كه شامل آرايه اي از نانونوارهاي پوشيده شده بين دروازه پاييني و دروازه بالايي است مورد مطالعه قراداده ايم. ما با لحاظ معادله پواسون در يك تقريب غير موضعي ضعيف ابتدا توزيع فضايي پتانسيل الكتريكي و سپس مشخصات جريان-ولتاژ در امتداد طول كانال يك ترانزيستور نانونواري گرافيني به طول كانال 300nm را محاسبه و رسم نموده ايم.

In this article we studied the electric potential and current voltage characteristics of a graphene nanoribbon field- effect transistor based on a heterostructure composed of an array of nanoribbons covered between the back gate and the top gate. Regarding the Poisson equation in the week nonlocality approximation we calculated and plotted the spatial distribution of the electric potential and current voltage characteristics along the channel of a graphene nanoribbon fieldeffect transistor of 300nm channel length.