بررسي كاربرد اثر GMR در سنسورهاي مغناطيسي

Study of Magnetic Sensors Base On GMR Effect

در سال 1988 اثري به نام مقاومت مغناطيسي بزرگ (GMR) كشف شد. در اين اثر اعمال ميدان مغناطيسي ، باعث تغيير زيادي در مقاومت الكتريكي مي شود. اين اثر در ابزارهاي نوين ثبت اطلاعات نقش مهمي دارد. اطلاعات پس از ثبت به وسيله يك هد كوچك اسكن شده و به سيگنال هاي الكتريكي تبديل مي شود. از اين رو اين اثر موجب اختراع سنسورهايي شد كه هنگام قرار گرفتن دريك ميدان مغناطيسي تغييرات بزرگي را در مقاومت الكتريكي نشان مي دهند. در مجموعه اين تحقيقات انواع سنسورهاي مغناطيسي و كاربردهاي آنها در توليد بيوسنسورها، آشكارسازي نقص در مدارهاي چاپي و آشكارسازي ميدان هاي مغناطيسي بسيار بزرگ مورد بررسي قرار گرفته شده است.

GMR effect was discovered; in 1998. The applied magnetic field changes electric resistance in GMR structure. This effect plays an important role in recording data technology. A small head scans data and changes it to the electrical signals, so the discovery of GMR led to invention of sensors that sense electric resistance in magnetic fields. In this paper we explain sort of sensors and usage of them into generation Biosensors, Printed Circuit Board defect detection & high magnetic field measurement.