شماره ركورد كنفرانس :
3310
عنوان مقاله :
تاثير برهم كنش الكترون - فونون بررسانش الكتريكي اتصالات مولكولي
عنوان به زبان ديگر :
The Effect of Electron-Phonon Interaction on Electrical Conductance of Molecular Contacts
پديدآورندگان :
سليمي جعفر دانشگاه پيام نور - گروه فيزيك , مرداني محمد دانشگاه شهركرد - گروه فيزيك
كليدواژه :
برهم كنش الكترون - فونون , پل مولكولي , مدل بستگي قوي , ماتريس انتقال , ديود فونوني
سال انتشار :
شهريور 1389
عنوان كنفرانس :
كنفرانس فيزيك ايران ۱۳۸۹
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
در اين مقاله اثر برهمكنش الكترون-فونون روي رسانش الكتريكي يك اتصال مولكولي مورد تحقيق قرار گرفته است. ما اين سامانه را در الگوي بستگي قوي و با استفاده از فن چند كاناله و بهكار بردن روش ماتريس انتقال به صورت تحليلي حل كرده ايم. همچنين شكل هاميلتوني در تقريب همسايه ي نزديك نوشته شده است. نتيجه هاي اين تحقيق نشان ميدهد كه در جفت شدگي ضعيف الكترون-فونون سهم رسانش كشسان در رسانش كل چشمگير است، در حاليكه در جفت شدگي قوي الكترون-فونون سهم رسانش ناكشسان بيشتر ميشود. همچنين در اين مقاله اثر تغيير اندازه ي جمله ي پرش روي رسانش كل و همچنين اثر تغيير ثابت جفت شدگي الكترون-فونون روي رسانش مطالعه شده است و پيشنهادي براي طراحي يك ديود فونوني ارائه شد
چكيده لاتين :
In this article, the effects of electron-phonon interaction on electrical conductance for a molecular contact have been studied in the nearest neighbor tight binding model. We make use of multichannel technique and transfer matrix method. The results show that in the weak coupling of the electron-phonon interaction, the contribution of elastic conductance in the total conductance is significant, but in the strong coupling of the electron-phonon interaction, the contribution of inelastic conductance grows. Furthermore, the effect of the changes in the coupling constant of electron-phonon on the conductance has been studied and a suggestion is given for the design of a phonon diode.
كشور :
ايران
تعداد صفحه 2 :
4
از صفحه :
1
تا صفحه :
4
لينک به اين مدرک :
بازگشت