بررسي ويژگي هاي نانوساختاري ماده ي گيت دي الكتريك ماسفت

Investigation of Gate Dielectric Nanostructures properties of MOSFET

كاهش اندازه قطعات الكترونيكي سبب شده است كه ويژگي اجزا تشكيل دهنده ي چنين قطع اتي تغييرات اساسي پيدا كند بديهي است كه خواص فيلم هاي با مقياس نانو با خواص ماكروسكوپي آن ها فرق كند چرا كه وقتي فيلم نازك و نازك تر مي شود امكان آن وجود دارد كه تعداد پيوندهاي آويزان بر روي سطح آن افزايش يابد و يا اكسيد سيليكون قادر نباشد تا جلوي عواملي چون افزايش جريان نشتي را بگيرد. در كار حاضر بررسي ويژگي هاي نانو ساختاري فيلم فرانازك گيت دي الكتريك اكسيد سيليكون نشان مي دهد كه آهنگ اكسيداسيون رشد زيگموندي دارد و به خود- اشباعي مي رسد

Scaling the electronic device size causes that the nanostructural properties of these devices have been significantly changed .In fact .the ultra thin oxide film properties are different from those of thick oxide film due to the more dangling bonds in the film surface . Furthermore, it is not clear that if ultra thin oxide film can prevent the leakage current through the gate oxide. In this work, studied the nano structural properties of the ultra thin oxide film to indicates that the oxidation growth is self – limiting or sigmoid