بهره و جريان آستانه ليزرهاي نيم رساناي گسيل سطحي كاواك عمودي در ناحيه طول موج بلند

Gain and Threshold current of vertical cavity surface emitting semiconductor lasers in long wavelength region

بهره اپتيكي ساختار GaInNAs ه ازاي يك پهناي چاه و درصد تركيب نيتروژن در طول موج 1,3 ميكرومتر رسم شده است تاثيرات محصور شدگي كوانتومي و كرنش تراكمي كه بر اثر آن مد TE مد غالب ميباشد در اين شكل لحاظ شده اس ت. كمينه جريان آستانة مورد نياز برحسب تعداد چاه كوانتومي و بازتابندگي آينه ها نيز بررسي شده است.

The spectrum gain of GaInNAs structure by the given well width and N composition is calculated for the wavelength of 1.3 micrometer. The effects of quantum confinement and compressive strain are examined for Superior TE mode in this figure. The minimum of threshold current versus number of quantum wells and reflectivity of mirrors has plotted.