اثر تغييرات ضخامت ناحيه OCL و چگالي سطحي نقاط كوانتومي بر چگالي جريان آستانه و چگالي جريان بازتركيب القايي ليزر نقطه كوانتومي GaInAsP/InP

Effect of thickness's variations of OCL region and surface density of quantum dot on threshold current density and stimulated recombination current density in GaInAsP/InP quantum dot laser

در اين مقاله، با حل معادلات آهنگ در حالت پايا و محاسبه روابط مربوط به چگالي جريان آستانه و چگالي جريان بازتركيب القايي، تغييرات آنها را برحسب افزايش دما بررسي و اثر افزايش ضخامت ناحيه OCL را بر هر دو پارامتر مطالعه كرده و در آخر تغييرات چگالي جريان بازتركيب القايي را برحسب چگالي جريان آستانه با در نظر گرفتن تغييرات چگالي سطحي نقاط كوانتومي شبيه سازي كرده ايم.

In this paper, We investigate variations of threshold current density and stimulated recombination current density versus increase of temperature by solution of the steady-state rate equations and calculation of equations that related to them and study increase's effect of thickness of ocl region on them and at last, simulate variations of stimulated recombination current density versus threshold current density by consideration of surface density of quantum dots variations.