بهينه سازي آينه هاي ضد بازتابي با استفاده از امواج توليد شده توسط تابش ليزر

Improving Anti-Reflection Mirrors By Laser Shock Peening

در اين مقاله لايه نازك MgF2 به ضخامت 100 نانومتر به روش تبخير فيزيكي در خلأ بر روي زير لايه BK7 با ضريب شكست 5 . 1=n انباشت شده و با استفاده از روش Laser Shock Peering تحت تابش ليزر اگزايمر با انرژي mj 110 و فركانس hz 1 با پالس هاي مختلف 20، 50، 0 و 120 قرار گرفت و اثر تابش ليزر اگزايمر بر روي بهبود خاصيت ضد بازتابي آينه هاي دي الكتريك (MgF2) توسط طيف سنج و ميكروسكوپ بررسي شد.

In this paper, thin thickness of MgF2 , 100 nm ,by physical vacuum evaporation method on BK7 substrate with refractive index n = 1.5 was the accumulated and by Laser Shock Peening method under laser Excimer irradiation with energy 110 mj and frequency 1hz with different pulse 20,50,90 and was 120 .Then the Excimer laser irradiation effect on improving anti-reflection properties by the spectrometer and the microscope was evaluated.