توابع الكتروني نوار گرافين با ناخالصي اتم بور

Electron transfer on boron atom doped Graphene Nanoribbon

در اين پژوهش به بررسي خواص ترابرد الكتروني نانو نوارهاي گرافيني با لبه ي آر مچير (AGNRs) با ايجاد ناخالصي اتم بور در جايگاه هاي متفاوت با استفاده از روش تابع گرين غير تعادلي همراه با محاسبات اصول اوليه مبتني بر نظريه تابعي چگالي پرداخته شده است. در ساختار نواري تمامي حالات، گاف موجود در سطح فرمي نوار گرافيني لبه آرمچير اوليه از بين رفته و تراز ناخالصي در سطح فرمي قابل مشاهده است. بعلاوه كوانتيزه بودن تابع ترابرد الكتروني براي حالات داراي ناخالصي نسبت به حالت اوليه كمتر است. نتايج بدست آمده نشان مي دهد براي نوار گرافيني داراي ناخالصي در تمامي جايگاه هاي مورد بررسي در ولتاژهاي كمتر از1.6Vرسانش بيشتر است.

In this research we performed electronic transport properties in armchair shaped edges graphene nanoribbons (AGNRs) doped boron impurities in various position have been simulated by the non-equilibrium green’s function approach combined with the first principle calculation based on the density functional theory. In the band structure for all various position, gap exits in the initial armchair graphene nanoribbons disappears and impurity levels in the Fermi surface observed. Furthermore quantization of transmission function is moderated for doped ANGRs. The result shows that AGNRs doped impurities at voltage less than 1.6V have higher conductance than the non-doped one.