راه كارهاي كاهش بهينه در چگالي جريان آستانه ليزر نقطه كوانتومي Ga0.21 In0.79 As0.46 P0.54 /InP

Solutions for Decreasing of Optimized Threshold Current Density in Ga0.21 In0.79 As0.46 P0.54 /InP Quantum Dot Laser

ليزرهاي نقطه كوانتومي نسبت به ساير ليزرهاي نيمه رسانا با محيط فعال مقياس نانويي، چگالي جريان آستانه پايي نتر، بهره بالاتر، و وابستگي دمايي ضعيف تري دارند. پايي نبودن چگالي جريان آستانه، به طور قابل ملاحظه اي عملكرد ليزر را بهبود مي بخشد. در اين مقاله يك تحليل تئوري از چگالي جريان آستانه ليزر نقطه كوانتومي Ga0.21 In0.79 As0.46 P0.54 /InP انجام گرفته و با بررسي روابط و رسم نمودارهاي مربوطه ، را هكارهاي مؤثري جهت كاهش بهينه چگالي جريان آستانه ارائه شده است.

Quantum dot lasers have lower threshold current density, higher gain and weaker temperature sensitivity versus other semiconductor lasers which have active medium in nano scale. The lower threshold current density will improve the function of the laser. In this paper study theoretical analysis of threshold current density of Ga0.21 In0.79 As0.46 P0.54 /InP quantum dot laser and investigated solutions to decreasing of optimized threshold current density.