مطالعه اثر بخار متانول بر خواص الكتروني سطح سيليكن متخلخل

در اين مطالعه، سيليكن متخلخل بر روي پايه سيليكن نوع p+ ساخته شد و سطح توسط ميكروسكوپ نيرو اتمي مشاهده گرديد. اين مشاهدات حاكي از آن است كه بر روي سطح، ديواره هايي از سيليكن به قطر 20 تا 30 نانومتر بر جاي مانده و حفره هايي به قطر تقريبي 20 نانومتر به وجود آمده اند. رسانايي الكتريكي نمونه ها در برابر چند درصد متانول به اندازه چند مرتبه بزرگي تغيير مي كند و نتايج طيف سنجي تونلي - روبشي از نمونه ها نشان مي دهد كه حضور متانول موجب افزايش بسياري در چگالي حالتهاي الكتروني به خصوص در شكاف انرژي مي شود. علاوه بر اين حضور نور و نور به همراه متانول نيز به طور موثري جريان تونلي را افزايش مي دهد.