تحليل نظري كنترل حالتهاي زيرباندي گاز الكترون دو بعدي با ضخامت لايه سرپوش در ساختارهاي نامتجانس AlxGa1-xN/GaN

در اين مقاله ساختارزيرباندي وگذار بين زير باندها به عنوان تابعي از ضخامت لايه سرپوش , با حل خودسازگار معادلات پواسون و شرودينگردرساختارهاي Al x Ga 1− x N / GaN بررسي مي شوند . كسر نسبي آلومينيوم در اين بررسي يك , وضخامت لايه سدي 40 آنگستروم در نظر گرفته شده است . نتايج محاسبات نشان مي دهد كه تفاوت انرژي بين اولين و دومين زير تراز كه متناظر با طول موجهاي مادون قرمز دور و متوسط مي باشد . با تغيير ضخامت لايه سرپوش تغيير مي كند . هرچه ضخامت لايه سرپوش افزايش يابد , فاصله انرژي بين دو زير باند اول و دوم كاهش يافته وهمپوشاني توابع موج الكترون در اين دو تراز افزايش مي يابد و بنابراين گذار بين اين دو زير تراز بيشتر شده و ضريب جذب بزرگتر مي شود . براي ساختارهاي با كسر نسبي بالا ( مثلا يك ) وضخامت زياد لايه سد ( مثلا 40 آنگستروم ) انتگرال همپوشاني بين دو تراز و قدرت نوسان كنندگي مستقل از ولتاژ اعمالي دريچه است . بنابراين در اين بررسي ولتاژ دريچه صفر در نظر گرفته شده و فقط اثر تغييرات ضخامت لايه سر پوش بررسي مي شود .