شماره ركورد كنفرانس :
3362
عنوان مقاله :
تاثير نوع ساختار بر طيف فتولومينسانس نانوساختارهاي InGaNAs
عنوان به زبان ديگر :
Effect of the structures on the PL spectra of InGaNAs nanostructures
پديدآورندگان :
قنادان حامد دانشگاه صنعتي مالك اشتر شاهين شهر اصفهان - گروه فيزيك , هراتي زاده حميد دانشگاه صنعتي مالك اشتر شاهين شهر اصفهان - گروه فيزيك , يوسفي محمدحسن دانشگاه صنعتي مالك اشتر شاهين شهر اصفهان - گروه فيزيك , هولتز پراولاف دانشگاه لينشوپينگ سوئد
كليدواژه :
طيف فتولومينسانس , نانو ساختارهاي InGaNAs
عنوان كنفرانس :
هشتمين كنفرانس ماده چگال ايران
چكيده فارسي :
در اين گزارش تاثير تغييرات ساختار ي بر خواص اپتيكي نانوساختارهاي InGaNAs ، با استفاده از طيف فتولومينسانس در دماهاي پايين مورد بررسـي قـرار گرفتـه است . مكانيسم بازتركيب نوري درنانوس اختارها در دماهاي پايين اكسيتوني مقيد مي باشد كه با طيف فوتولومينساس اين نمونـه هـا مطابقـت دارد . همچنـين در مـورد چاههاي كوانتومي چ ندگانه، افزايش بازده نوري و پهن ش دگي طيف فوتولومينسانس نسبت به نمونه تك لايه و چاه كوانتومي يگانه، مورد بررسي قرار گرفته است كـه مستقيماَ به افزايش تعداد چاهها و وجود افت و خيزهاي آماري در فصل مشترك چاهها برمي گردد . همچنين تأثير افزايش اينديم بر شيفت قرمز انرژي كاملاً مـشهود ميباشد . با استفاده از افزايش مقدار اينديم و چاه كوانتومي چندگانه مي توانيم به طول موجهاي منطقه IR با بازده نوري بالا رسيم .
چكيده لاتين :
The effect of structural change on the optical properties of InGaNAs nanostructures has been investigated by
means of PL spectroscopy at low temperature. Recombination mechanism in nanostructures is localized exciton
at low temperature that is shown by PL spectroscopy in these samples. Optical efficiency and FWHM increase
in MQWs with regard to epilayer and SQW due to number of quantum wells. Increasing of In creates redshift in
peak position energy. By using of MQWs and increase of In in InGaNAs structure, we able to reach to IR region
with high efficiency which can be used for telecommunication optoelectronic devices.