ساختار الكتروني و خواص پيوندي جامد Cu2O

Electronic Structure and Bonding Properties in Cu2O

هدف اين مقاله مطالعه خواص پيوندي بين اتمها در جامد Cu2O است . براي مطالعه خواص الكتروني، توزيع چگالي بار بين اتم هاي O-Cu و Cu-Cu را به صورت تئوري و تجربي مورد محاسبه قرار گرفته است . در محاسبه چگالي بار از روش محاسباتي ابتدا به ساكن استفاده گرديده كه در اين تحقيق معادله كوهن - شم با رهيافت شبه پتانسيل حل شده است . در روش تجربي، نمايه كامپتون توزيع كاملي از چگالي بار در فضاي اندازه حركت را نشان مي دهد . تبديل فوريه نمايه كامپتون نگاشت اين توزيع بارها در فضاي حقيقي مي باشد؛ به اين ترتيب مي توانيم خواص پيوندي را در هر راستاي دلخواه مورد مطالعه قرار دهيم .

The aim of this paper is to study the bonding properties among atoms in the Cu2O solid. We obtained the manner of charge density distribution between atoms Cu-Cu and O-Cu experimentally and theoretically to study the electronic properties. In calculation, the charge density are obtained by ab initio calculation which in this study we solved Kohn-Sham equation by pseudo-potential approach. In experiment, Compton profile shows the directional distribution of charge density in momentum space. By Fourier-transformation of Compton profile, this charge directional distribution are mapped to real space, so we can study the bonding properties in any direction.