تاثير ضخامت بر خواص لايه هاي نازك ITO به شيوه كندوپاش RF

Effects of thickness on properties of RF sputtered ITO thin films

لايه هاي نازك ITO با ضخامتهاي مختلف 130-620 nm بر روي زيرلايههاي شيشه نازك به شيوه كندوپاش RF و با استفاده از هدف سراميكي لايه نشاني شده و سپس در دماي 400°C در محيط خلأ پخت شده اند . ساختار كريستالي، مشخصه هاي الكتريكي و اپتيكي نمونه هاي ITO توسط آناليزهاي XRD ، سيستم اندازه گيري مقاومت چهار ترمينالي و طيفUV/VIS/IR مورد بررسي قرار گرفته است . با بررسي نتايج حاصل از آناليزهاي انجام شده با افزايش ضخامت لايه، درصد عبوري ميانگين در طيف مرئي كاسته و مقاومت الكتريكي نيز كاهش مييابد . در مقابل، با بررسي طيف XRD لايه اي كه داراي ضخامت 620 nm است، قله هاي بهينه (222) و (400) نشان دهنده توازن شفافيت و هدايت الكتريكي ميباشند

Indium tin oxide (ITO) thin films with various thicknesses from 130-620nm have been deposited on the thin glass substrates by RF sputtering from ceramic target, and subsequently annealed in vacuum at 400°C. The structural, electrical and optical characteristics of ITO samples have been analyzed by XRD, four-point probe method and UV/VIS/IR spectrophotometer. Results show that by increasing the thickness, average optical transmittance of the layers and electrical resistivity decrease. In contrast, XRD spectra of 620nm thickness shows optional (222) and (400) peaks that is balance between transparency and electrical conductivity of TCO films.