بررسي تاثير متخلخل سازي Si بر منحني پاسخ آشكارساز فرو سرخ Si/PtSi نوع p

The effect of Si porosity on the responsivity of PtSi/p- Si IR detector

نتايج تجربي گزارش شده ما ( مرجع5) براي مشخصه پاسخ آشكارساز PtSi/Si كه در آن از Si متخلخل استفاده شده است، نشان مي دهد كه پاسخ از رابطه فاولر كه در قطعات غير متخلخل صادق است پيروي ن كرده و در ناحيه طول موجي 1/5 الي 4 ميكرومتر درحدود يك مرتبه بزرگي افزايش پيدا مي كند . همچنين پاسـخ در قطعه متخلخل در طول موج هاي بالاتر از طول موج قطع λ c در نمونه هاي غير متخلخل همچنان قابل ملاحظه است . بررسي هاي ما نشان مي دهـد كـه ويژگـي نخست مي تواند ناشي از ناهمواري هادر سطح Si متخلخل و دومين اثر حاصل فرايند تونل زني حامل ها از داخل سد شاتكي باشد .

Our experimental results reported in reference [5] for the responsivity characteristics of PtSi/ p-porous Si detector shows that it's responsivity (i) does not follow the Fowler relation as in regular devices, and increases by about one order of magnitude in the wavelength range of 1.5-4 μm, (ii) extends above cut-off wavelength ( ) c λ . Our analysis shows that the former property is due to the surface roughness as a result of Si porousity and the latter is because of carrier tunneling through the Schottky barrier.