ايجاد تماس اهمي فلزي با لايه هاي نازك اكسيد اينديم وقلع (ITO)

Preparation of metal Ohmic contact to indium tin oxide (ITO) thin films

لايه هاي نازك اكسيد اينديم و قلع (ITO) با ضخامت 150 nm با استفاده از دستگاه باريكه الكتروني روي شيشه كوارتز لايه گذاري ش د . لايه گذاريها در دماي اتاق انجام شده و به منظور بهبود خواص، لايه ها در كوره خلا تحت عمليات حرارتي قرار گرفتند . تغييرات خواص ساختاري، الكتريكي و نوري لايه ها با تغيير دماي كوره مورد بررسي قرار گرفته و مشاهده شد كه در دماي 400 °C مي توان به بيشترين درصد عبور و در عين حال كمترين مقاومت سطحي دست يافت . با استفاده از آناليز XRD و SEM ديده شد كه در اين دما لايه ها داراي ساختار چند بلوري با بافت سطحي <111> شده و اندازه دانه هاي كريستالي در اين جهت نيز 35-40 nm مي باشد . سپس لا يه هاي فلزي Al( 320 nm ( و Cr( 30 nm به ترتيب روي لايه بهينهITO به روش باريكه الكتروني و در دماي 100 °C لايه گذاري شدند . تماس فلزي ايجاد شده داراي رفتار اهمي بوده و مقاومت آن بعد از گرمادهي در خلاء و دماي 250 °C به كمترين مقدار 40 µΩ-cm به توان 2رسيد

Indium-tin- oxide thin films were deposited on soda lime glass substrates with a thickness of 150nm using ebeam evaporation system. In order to improve the structural, electrical and optical properties of the films, these films were annealed in vacuum and different temperatures. The structure, sheet resistance and transmission of the films were systematically investigated as function of post annealing temperature. It has been observed that at annealing temperature of 400°C the films take its maximum transmission and conductivity. The XRD and SEM analysis reveals that the amorphous films were orientated in <111> crystal texture direction with size of grains about 35-40nm.In order to make a metal Ohmic contact to ITO, these films were then covered by Al (320nm)/Cr (30nm) metals in 100°C. The contact showed an Ohmic behavior and its contact resistance decreased to the lowest value of 4×10 -5 Ω-cm 2 after annealing at 250°C and vacuum atmosphere.