بررسي سينتيك كريستاليزاسيون (تبلور) لايه هاي نازك آمورف از جنس آلياژهاي حافظه دار NiTi تهيه شده به روش كندوپاش مغناطيسي

Crystallization kinetics of magnetron sputter deposited NiTi shape memory alloy thin films

لايه هاي نازك آلياژ حافظه دار NiTi توسط روش كندوپاش مغناطيسي تهيه گرديد. به دليل توليد اين لايه ها د ردماي اتاق (پايين) ساختار آنها بلافاصله پس از توليد آمئرف مي باشد. پراش پرتوايكس (XRD)، ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) و گرماسنجي افتراقي (DSC) با روش غير هم دما (گرمايش با نرخ ثابت) به منظور بررسي ميكرو ياختار، تعيين انرژي فعال سازي و مكانيزم رشد و جوانه زني بكار برده شد. وابستگي سرعت رشد و دماي كريستاليزاسون با استفاده از الگوهاي DSC تعيين گرديد. نتايج نشان داد دماي تبلور و ماكزيمم سرعت استحاله فاز آمورف به كريستاله (متبلور) با افزايش نرخ گرمايش، بيشتر مي شوند همچين جوانه زني پيوسته و رشد يك بعدي تحت كنترل فصل مشترك مكانيزم غالب در استحاله مي باشند. انرژي فعال سازي نيز 370/94Kj/mole مي باشد كه با استافده از روش ماتوسيتا و كسينجر اصلاح شده محاسبه گرديد

NiTi shape memory alloy thin films, fabricated by magnetron sputtering .Usually, the thin films obtained by sputtering methods at ambient temperature, are amorphous. Microstructure, activation energy, nucleation and growth mechanism investigated by X-ray diffraction, scanning electron microscopy (SEM) and differential scanning calorimeter (DSC). Dependence of crystallization temperature and phase transformation rate on heating rates was detected by DSC. Results show that crystallization temperature and maximum phase transformation rate increase with increasing heating rate. The continuous nucleation and one dimensions growth are dominant mechanism of crystallization. Activation energy is 370.94 KJ/mole that determine by matusita methods