p151. آناليز خواص اپتيكي و گاف‌انرژي دولايه‌‌اي دي‌‌اكسيدقلع/سولفيدكادميوم (CdS/SnO2) ساخته-شده به‌روش سل-ژل، با استفاده از تكنيك طيف‌سنجي اليپسومتري(بيضي‌سنجي)

Analysis of optical properties and band gap energy of CdS/SnO2 bilayer synthesized by sol-gel method using spectroscopic ellipsometry technique

دولايه‌اي دي‌اكسيدقلع/سولفيدكادميوم و لايه‌هاي نازك دي‌اكسيدقلع و سولفيدكادميوم با استفاده از روش سل-ژل پوشش‌دهي دوراني برروي زيرلايه شيشه‌اي ساخته شدند. خواص اپتيكي لايه‌هاي ساخته‌شده شامل ضريب‌شكست، ضريب ميرايي و تابع دي‌الكتريك با استفاده از تكنيك اليپسومتري مورد بررسي و مقايسه قرار گرفت. همچنين با محاسبه ضريب جذب نمونه لايه‌ها با استفاده ازنتايج حاصل از اليپسومتري و جايگذاري مقادير آن در رابطه تاك، گاف انرژي لايه‌هاي نازك تعيين شد. نتايج نشان داد كه با لايه‌نشاني سولفيدكادميوم برروي لايه‌نازك دي‌اكسيدقلع، گاف‌انرژي به 95/3 الكترون‌ولت افزايش يافته درحالي‌‌كه گاف‌انرژي براي لايه‌هاي نازك دي‌اكسيدقلع و سولفيدكادميوم به ترتيب 75/3 و 4/3 الكترون‌ولت تعيين شد.

The CdS/SnO2 bilayer, SnO2 and CdS thin films were synthesized on glass substrates by using sol gel spin coating method. Optical properties of prepared thin films including the refractive index, extinction coefficient and dielectric function were investigated and compared using spectroscopic ellipsometry technique. Also, by calculation of absorption coefficient using ellipsometry results and replacing the absorption values in Talc equation, band gap energy of thin films were determined. Results showed that by coating the CdS layer on the SnO2 thin film, band gap energy increased to 3.95 ev while the SnO2 and CdS thin films had 3.75 and 3.4 ev of band gap energy values, respectively.