شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p155. مدهاي نقص بلورهاي فوتوني متشكل از گرافن و دي‌الكتريك با يك و دو لايه نقص
عنوان به زبان ديگر :
Defect Modes of Photonic Crystals constituted of Graphene and Dielectric with Single and Dual Defect Layers
پديدآورندگان :
رومي بيتا roumi.bita@gmail.com گروه فوتونيك و مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب؛ , عبدي قلعه رضا r.abdi@bonabu.ac.ir گروه فوتونيك و مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب؛ , زادجمال سيفي رباب r.zadjamal@gmail.com گروه فوتونيك و مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب؛ , مدني امير a-madani@bonabu.ac.ir گروه فوتونيك و مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب؛
كليدواژه :
گرافن , مد نقص , بلورهاي فوتوني , ماتريس انتقال , 41 , 42
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
چكيده فارسي :
بلورهاي فوتوني يك بعدي متشكل از لايه‌هاي دي‌الكتريك و گرافن در ناحيه فركانسي تراهرتز مطالعه شدند. طيف‌هاي تراگسيلي ساختارهاي تناوبي بدون لايه نقص، شامل تك لايه و دو لايه نقص مورد بررسي قرار گرفتند. نتايج نشان مي‌دهند كه طيف تراگسيلي ساختار تناوبي بدون لايه‌ي نقص شامل دو ناحيه گاف باند فوتوني است، ولي در ساختارهاي شامل لايه نقص، مدهاي نقص يگانه و دوگانه درون اين گاف‌ها ايجاد مي‌شوند. براي قطبش‌هاي TE و TM، رفتار مدهاي نقص با تغييرات پتانسيل شيميايي گرافن و زاويه فرودي بررسي شدند. مشاهده شد كه با افزايش پتانسيل شيميايي و زاويه‌ي فرودي مدهاي نقص به سمت فركانس‌هاي بالاتر جابجا مي‌شوند و شدت مدهاي نقص كاهش مي‌يابند.
