p282. رفتار جذب يكسويه بلور فوتوني يك بعدي با لايه ي نقصMoS2

One-way Aabsorption Behavior in 1D Photonic Crystal with MoS2 defect layer

در اين كار، طيف جذبي تك لايه ي گرافن گونه MoS2 مورد بررسي قرار گرفته است. جذب در يك تك لايه به زاويه ي تابش حساس بوده و شدت آن به دليل ضخامت كم ناچيز است. يك راه پيشنهادي براي افزايش جذب اين نوع مواد، قراردادن لايه ي فوق در ساختار بلور فوتوني يك بعدي است. ساختاري با آرايشي به صورت (A1B1 )N C1 MoS2 C2 (B2A1)N پيشنهاد شده كه تركيبC1 MoS2 C2 به عنوان لايه ي نقص عمل مي كنند. در اين ساختار لايه هاي A، B و C مواد با دي الكتريك معمولي هستند. وجود لايه ي نقص باعث جايگزيدگي مد نقص و در نتيجه سبب افزايش جذب از ساختار مي شود. رفتار طيف جذبي براي دو جهت تابش به ساختار به ازاي زواياي تابشي متفاوت بررسي شده است. نتايج نشان مي دهند كه در زاويه خاصي از تابش، جذب در ساختار فقط در يك جهت اتفاق مي افتد. همچنين اثر ضخامت لايه يC1 بر رفتارجذب يكسويه مورد مطالعه قرار گرفته است.

In this work, the absorption spectrum of graphene-like MoS2 monolayer is investigated. The absorption of monolayer is sensitive to incident angel and the absorption intensity is negligible due to the low thickness of the layer. To increase the absorption intensity of MoS2 monolayer, it can be introduced in a 1D photonic crystal structure. The proposed PC structure is in the form of (A1B1)N C1MoS2C2 (B2A1)M that the segment C1MoS2C2 act as the defect layer. Where, A, B and C layers are the common dielectric materials. With this arrangement, the defect mode would be localized inside photonic band gap and causes to increase the absorption in MoS2 layer. The one- way absorption behavior from the structure at different incident angles is investigated. The results are shown that at a certain incident angle, absorption occurs only in one direction of incident. The effect of C1 layer thickness on one- way absorption behaviour is studied.