شماره ركورد كنفرانس :
4815
عنوان مقاله :
p465. جابجايي گوس-هِنشِن تنظيم‌پذير بر روي بلور فوتوني يك‌بعدي حاوي لايه نقص فراماده هايپربوليك گرافن-پايه
عنوان به زبان ديگر :
Tunable Goos-Hanchen shift of a 1D photonic crystal containing graphene-based hyperbolic metamaterial defect layer
پديدآورندگان :
شعباني شيشوان نگار shaabani.neg@gmail.com گروه مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب، آذربايجان شرقي؛ , مدني امير a-madani@bonabu.ac.ir گروه مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب، آذربايجان شرقي؛ , شيرين سيمين siminshirin2000@gmail.com گروه مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب، آذربايجان شرقي؛ , عبدي قلعه رضا reza.abdi82@gmail.com گروه مهندسي اپتيك و ليزر، دانشگاه بناب، بناب، آذربايجان شرقي؛
كليدواژه :
بلور فوتوني , پتانسيل شيميايي , جابجايي گوس-هانچن , فراماده هايپربوليك , گرافن , مد نقص. , 42
عنوان كنفرانس :
سي و پنجمين كنفرانس ملي فيزيك ايران و بيست و سومين همايش دانشجويي فيزيك
چكيده فارسي :
در اين مقاله جابجايي گوس-هانچن در عبور باريكه گاوسي با قطبش TM از بلور فوتوني حاوي لايه نقص بررسي شده است. لايه نقص مورد نظر يك ساختار لايه‌اي ناهمسانگرد فراماده هايپربوليك گرافن‌پايه است كه با استفاده از تئوري محيط موثر به صورت محيطي همگن با ضريب دي‌الكتريك موثر در نظر گرفته مي‌شود. مطالعه با استفاده از روش ماتريس انتقال انجام شده است. نتايج نشان مي‌دهند با اضافه كردن لايه نقص به چيدمان بلور فوتوني مورد نظر ميزان جابجايي جانبي پرتو عبوري از بلور فوتوني در فركانس مربوط به مد نقص كه داخل باند گاف وجود دارد، افزايش مي‌يابد و ميزان اين جابجايي با تغيير پتانسيل شيميايي تك‌لايه‌هاي گرافن قابل تنظيم است.
چكيده لاتين :
In this paper the Goos-Hanchen shift of TM-polarized transmitted Gaussian beam from photonic crystal containing defect layer has been investigated. The considered defect layer is a graphene-based hyperbolic metamaterial which can be considered like an anisotropic homogenous layered structure using effective medium theory in THz frequency ranges. The study has been done using transfer matrix method. The results show that the lateral shift of transmitted beam can be increased with adding the defect layer to photonic crystal in defect mode frequency which is inside the photonic band gap and it can be controlled with tuning the chemical potential of graphene monolayers.
