p142. ساخت لايه هاي نازك دي اكسيد قلع آلاييده به كبالت به روش سل-ژل و بررسي اثر دماي پخت بر روي گاف انرژي آنها با استفاده از تكنيك اسپكتروسكوپي اليپسومتري

Preparation of Co-doped SnO2 thin films by sol-gel method and investigation of preheating temperature influence on their band gap energy using spectroscopic ellipsometry technique

لايه هاي نازك دي اكسيد قلع آلاييده به كبالت به روش سل ژل و با استفاده از پوشش دهي دوراني بر روي زير لايه شيشه اي ساخته شدند. سپس در دماهاي 100، 150 و 200 درجه سانتيگراد به مدت 10 دقيقه پخته و در نهايت در كوره با دماي 450 درجه سانتيگراد به مدت 1 ساعت بازپخت شدند. تاثير دماي پخت بر روي خواص اپتيكي لايه هاي ساخته شده، با استفاده از تكنيك اسپكتروسكوپي اليپسومتري بررسي شد. تغييرات ضريب شكست و ضريب جذب تعيين و با استفاده از تغييرات ضريب جذب تغييرات گاف انرژي لايه ها اندازه گيري شدند. نتايج نشان داد كه با افزايش دماي پخت از 0C 100 تا 0C 200، گاف انرژي كاهش مي يابد و براي لايه دي اكسيد قلع آلاييده به كبالت %5 با دماي پخت 0C 200 به كمترين مقدار 25/ 3 الكترون ولت مي رسد.

Co-doped SnO2 thin films were deposited on glass substrates by sol-gel spin coating method. Then all samples were placed on hot plate for 10 min at 100, 150 and 2000C. finally preheated thin films annealed at 4500C for 1 hour. The influence of preheating temperature on optical properties of prepared thin films were investigated using spectroscopic ellipsometry technique. Variations of refractive index and absorption coefficient were determined and band gap energy were measured for all samples by using absorption coefficient values. Results showed decrease of band gap energy values by increasing preheating temperature from 1000C to 2000C. The 5% co-doped SnO2 thin film preheated at 2000C had the lowest band gap energy value of 3.25 ev.