p228. ساخت و بهينه‎سازي لايه بافر Zn(O, S) به روش رسوب حمام شيميايي (CBD) براي استفاده در سلول‫هاي خورشيدي

Fabrication and optimization of Zn (O, S) buffer layer by chemical bath deposition method (CBD) for solar cells applications

فيلم‎هاي نازك Zn(0,S) با روش رسوب حمام شيميايي(CBD) بر روي بستر كوارتز لايه‎نشاني شدند. در اين روش از آمونياك به عنوان عامل كمپلكس و همچنين سولفات روي (ZnSO4) و تيوره (NH2-SC-NH2) به ترتيب به عنوان منابع Zn+2 و S-2، در ساخت فيلم نازك استفاده شد. پس از اطمينان از رسوب، تاثير بازپخت دمايي بر روي نمونه‎ها بررسي شده است. سپس خواص ساختاري و اپتيكي نمونه‎هاي ساخته شده قبل و بعد از بازپخت با استفاده از دستگاه پراش پرتو ايكس و طيف سنجي در محدوده UV-VIS مورد بررسي قرار گرفته شد. نتايج نشان دادند كه بازپخت در دماي 500 درجه سانتي‌گراد، شدت قله‎هاي ماده افزايش پيدا كرد كه نشاندهنده‌ي افزايش بلورينگي فيلم لايه نشاني شده است. اما بازپخت تاثير قابل توجه‌ي در نمودار جذب و به تبع در گاف انرژي نمونه‎ها نداشت

Zn(O,S) thin films were prepared using chemical bath deposition (CBD) method on quartz substrate. In this method ammonia has been used as complexing agent also ZnSO4 (Zinc sulphate) and NH2-SC-NH2 (Thiourea) were used as the source of Zn2+ and S2-, respectively. After the deposition, the influence of temperature annealing on films was investigated. Afterwards, structural and optical properties of the deposited films before and after annealing were studied by means of XRD and UV-VIS spectroscopy. Results shown that after annealing in 500°C, the XRD pattern with greater peak can be obtained which indicates higher crystallization of deposited thin film. But annealing didnt have significant effect on absorption and afterword band gap of the samples.