شماره ركورد كنفرانس :
4852
عنوان مقاله :
p100. تاثير اثر بر هم كنش اسپين - مدار درس الهاوس بر مقاومت تونل زني در اتصال تونلي ferromagnet/insolator/semiconductor/insolator/ferromagnet
عنوان به زبان ديگر :
The influence of the Dresselhaus spin –orbit coupling on the tunneling magnetoresistance in ferromagnet/insulator/semiconductor/insulator/ferromagnet tunnel junctions
پديدآورندگان :
بابازاده حبشي ليدا l_babazadeh@yahoo.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني (ره) شهرري، تهران، ايران؛ , كماليان منير m.kamalian@srbiau.ac.ir دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني (ره) شهرري، تهران، ايران؛ , قلي زاده آرشتي مريم m.gholizadeh.ar@gmail.com دانشگاه آزاد اسلامي واحد يادگار امام خميني (ره) شهرري، تهران، ايران؛
كليدواژه :
مقاومت مغناطيسي تونلي- بر هم كنش اسپين مدار درس الهاوس- جريان اسپين پلاريزه , 7350 , 7520 , 7220
عنوان كنفرانس :
چهاردهمين كنفرانس ملي ماده چگال انجمن فيزيك ايران
چكيده فارسي :
در اين مقاله اثر بر هم كنش اسپين_ مدار درس الهاوس((Dresselhaus Spin –Orbit coupling را در ترابرد اسپيني ساختار سد دوگانه ferromagnet/insolator/semiconductor/insolator/ferromagnet با وجود نيمه هاديInAs بررسي خواهيم كرد. هم چنين اثر ضخامت نيمه هادي بين دو عايق و ولتاژ باياس بر مقاومت مغناطيسي تونلي را در نظر خواهيم گرفت. هنگاميكه انرژي حالت جايگزيده در سد به انرژي فرمي الكترود فرومغناطيس متصل مي شود،در اثر بر هم كنش اسپين- مدار درس الهاوس مقاومت مغناطيسي تونلي معكوس اتفاق مي افتد.
چكيده لاتين :
This paper investigates the effect of Dresselhaus spin –orbit coupling on the spin- transport properties of ferromagnet / insulator/semiconductor/insulator/ferromagnet with InAs semiconductor in double barrier structures .The influence of the thickness of the semiconductor between the two insulators and bias voltage on the tunneling magnetoresistance is also considered .Due to the Dresselhauss spin-orbit coupling effect, the tunneling magnetoresistance inversion occurs when the energy of a localized state in the barrier matches the Fermi energy of the ferromagnetic electrods.
