p224. مطالعه خواص ساختاري و الكتروني نانوسيم اكسيد روي بر پايه محاسبات ابتدا به ساكن

First principle calculations of structural and electronic properties of ZnO nanowire

در كار حاضر، به مطالعه نانوسيم اكسيد روي ) ZnO ( در امتداد ] 0001 [ با سطح مقطع شش گوشي پرداخته شده است. محاسبات ابتدا به ساكن در چارچوب نظريهي تابعي چگالي با رهيافت امواج تخت و شبهپتانسيل در تقريب شيب تعميميافته و با درنظرگرفتن تصحيح ناشي از پارامتر هابارد انجام شده است. نتايج نشان ميدهد كه نانوسيم ZnO همانند حالت انبوهه آن نيمرساناي با گاف نواري مستقيم و پهن است. نوار ظرفيت نانوسيم ZnO بيشتر از اوربيتال p2 اتم O و d3 اتم Zn و نوار رسانش آن از اوربيتال s4 اتم Zn تشكيل شده است

In the present work, ZnO [0001] nanowire with hexagonal cross section is studied. First principle calculations are performed in the framework of density functional theory (DFT) based on plane wave and pseudopotential approach within GGA aided by Hubbard correction. The results show that ZnO nanowire is a semiconductor with a direct and wide band gap similar to its bulk structure. The valance band is mainly coming from 2p states of O and 3d states of Zn wheras 4s orbitals of Zn atoms play the most role in the conduction bands.