p120. ساخت لايه‌ نازك Cu In Se2 و بررسي خواص ساختاري و الكتريكي آن

Fabrication of CuInSe2 thin film and Study of its structural and electrical properties

لايه‌‌نازك Cu In Se2 بر روي زيرلايه شيشه نشانده شد و سپس در دماهاي 60،90،100،110 درجه‌‌ي سلسيوس تحت گاز بي‌‌اثر و در دماهاي 175و155 درجه‌‌ي سلسيوي تحت خلاء 5-10 تور بازپخت شدند. طيف XRD نمونه‌هاي مختلف در گستره زاويه 80-10 درجه تهيه شد. اندازه‌‌ي متوسط بلورك‌‌ها در حدود 29-18 نانومتر براي نمونه‌‌هاي بازپخت شده تحت گاز و حدود 45-27 نانومتر براي نمونه‌‌هاي بازپخت ‌‌شده تحت خلأ محاسبه شد. خواص الكتريكي نظير ثابت هال، مقاومت سطحي، چگالي حامل‌‌ها، نوع حامل‌‌ها و تحرك آن‌‌ها نيز پيش و پس از بازپخت در دماهاي مختلف مورد بررسي قرار گرفت.

The Cu In Se2 thin films were deposited on the glass substrate and then annealed under inert gas at 60,90,100,110 OC temperature and annealed at temperatures 155,175 OC a vacuum of Torr. The XRD spectra of various samples were prepared in the range of 10-80 degrees. The average size of grains were about 18-29 nm for annealed samples under inert gas and about 27-45 nm were calculated for annealed samples under vacuum. The electrical properties such as Hall coefficient, sheet resistance, charge carrier density, charge carrier type and mobility were studied before and after annealing at various temperatures.