شماره ركورد كنفرانس :
4852
عنوان مقاله :
p140. رشد لايه نازك FePd به روش ليزر پالسي و بررسي ويژگي هاي مغناطيسي با روش مغناطواپتيكي كر
عنوان به زبان ديگر :
PLD growth of FePd thin films and characterization of their magnetic properties by magneto optical Kerr effect
پديدآورندگان :
آقائي اصفهاني فرزانه farzaneh.aghaei@ph.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان؛ , احمدوند حسين ahmadvand@cc.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان؛ , سدرپوشان مهران m.sedrpooshan@ph.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان؛ , كاملي پرويز kameli@cc.iut.ac.ir دانشگاه صنعتي اصفهان؛
تعداد صفحه :
4
كليدواژه :
لايه هاي نازك FePd , لايه نشاني ليزر پالسي , اثر مغناطواپتيكي كر ,
سال انتشار :
1397
عنوان كنفرانس :
چهاردهمين كنفرانس ملي ماده چگال انجمن فيزيك ايران
زبان مدرك :
فارسي
چكيده فارسي :
چكيده لايه هاي نازك آلياژ آهن پالاديوم ( FePd) روي زير لايه هاي MgO، Si وFused silica به روش ليزر پالسي در دماي اتاق لايه نشاني شدند. سپس لايه هاي MgO وFusedsilica در دماي°C 600 و Si در دماي°C 400 و°C 600 بازپخت شدند. منحني پسماند مغناطيسي اين لايه ها با استفاده از روش مغناطواپتيكي كر اندازه گيري شد. نتايج نشان داد كه براي لايه FePd/MgO بعد از بازپخت در دماي°C 600 ميدان وادارندگي افزايش مي يابد. ولي در ميدان وادارندگي لايه FePd/ Fused silica تغيير چنداني حاصل نشد. براي لايهFePd/Si بازپخت شده در°C 600 پسماند مغناطيسي مشاهده نمي شود اما با باز پخت در دماي °C 400 ميدان وادارندگي آن افزايش مي يابد.
چكيده لاتين :
Abstract FePd thin films were deposited on MgO, Si and Fused silica substrates by pulsed laser deposition (PLD) at room temperature. Then, the MgO and Fused silica films were annealed at 600 °C and the film on the Si was annealed at 400 °Cand 600 °C. The magnetic hysteresis loop of the films were measured using the magneto-optical Kerr effect (MOKE).The results showed that the coercivity of the FePd / MgO film increased after annealing at 600 °C, but the coercivity of FePd / Fused silica film is not changed. the annealed FePd/ Si film at 600 °C did not show magnetic loop, but after annealing at 400 °C the coercivity of FePd / Si film is also enhanced.
كشور :
ايران
لينک به اين مدرک :
بازگشت