ساختار باند برحسب مرتبه هاي مختلف سري فيبوناچي در شبه بلور فوتوني يك بعدي حاوي تك لايه هاي موليبدن دي سولفايد (MoS2)

Band gap structure of a one-dimensional quasiperiodic structure containing MoS2 mono-layers in terms of different orders of Fibonacci series

دراين مقاله ساختار باند و خواص تراگسيل شبه بلور فوتوني يك بعدي حاوي تك لايه هاي MoS2 با آرايش شبه تناوبي براي مرتبه هاي مختلف سري فيبوناچي مورد مطالعه قرار گرفته است. ابتدا به معرفي سري فيبوناچي و نحوه آرايش لايه هاي دي الكتريك و نانو لايه هاي MoS2 پرداخته شده است. در ادامه طيف تراگسيل ساختار با استفاده از روش ماتريس انتقال براي مرتبه هاي 3، 4 و 5 سري فيبوناچي براي دو قطبش TE و TM مورد بررسي قرار گرفته است. در پايان ساختار باند و گاف فوتوني براي مرتبه هاي اشاره شده در ناحيه مرئي و فرا بنفش نزديك بررسي شده است كه حضور MoS2 باعث ايجاد گاف شده است و همچنين با افزايش مرتبه سري فيبوناچي انتقال گاف به فركانس هاي بالاتر رخ مي دهد.