مهندسي گاف انرژي پروسكايت با فرايند وَسپ

Bandgap Engineering of Perovskite via Vapor-Assisted Solution Process (VASP)

در اين مقاله، به بررسي اثر تركيب #8204;هاي آلي هالوژن #38;shy;هاي برم و يد بر اندازه #8204;ي گاف انرژي پروسكايت در روش لايه نشاني وَسپ[i] مي #8204;پردازيم. براي مهندسي گاف انرژي با اين روش، ابتدا لايه #8204;هاي PbBrxI2 #38;minus;x (x=0, 1, 2) را با روش چرخشي بر بستر مزو #38;nbsp;TiO2 نشانده و براي رسيدن به دما و زمان بهينه، در دماها ومدت #8204;هاي گونان در معرض بخار MABr قرار مي #38;shy;دهيم. با اين روش، به دليل استفاده از بخارهاي نمك متيل آمين، لايه #8204;هاي پروسكايت كندتر و در نتيجه با سطحي هموارتر و دانه #38;shy;هاي درشت #8204;تر تشكيل خواهند شد. به #8204;علاوه، با توجه به امكان سنتز انبوه لايه #8204;هاي پروسكايت در ابعاد بزرگ و مصرف بهينه مواد در اين فرايند، روش وَسپ از روش لايه نشاني چرخشي دو مرحله #8204;اي متداول در ساخت لايه #38;shy;هاي پروسكايت ارزان #38;shy;تر است و يكي از موانع توليد انبوه سلول #8204;هاي خورشيدي پروسكايتي را از سر راه برمي #8204;دارد. #38;nbsp; [i] Vapor-assisted solution process (VASP)

Using the Vapor-Assisted Solution Process (VASP), we investigate the effect of the bromine and iodine halogen organic compounds on the perovskite bandgap. For the bandgap engineering, layers of PbBrxI2 #38;minus;x (x=0, 1, 2), deposited on Meso substrates, are exposed to the MABr vapor and optimize the time and temperature for this process. Presence of MABr vapor increases the time required for the formation of the perovskite layer, with larger grans and more uniform surface. Moreover, as compared the ordinary two-step spin coating, VASP has the capability of synthesizing perovskite layers in large-scales with lower costs. Hence, VASP can overcome an obstacle that mass production of perovskite solar cells is facing.