ساختار الكتروني نويدبخش پروسكايت دوتايي Ba2TiRhO6 : روش نظريه تابعي چگالي قطبيده اسپيني

نظريه تابعي چگالي بر مبناي محاسبات اصول اوليه در تقريب گراديان تعميم يافته (GGA) و تقريب پتانسيل اصلاح يافته بك-جانسون (mBJ-GGA) براي بررسي خواص بلوري، الكتروني و مغناطيسي پروسكايت­هاي دوتايي جديد Ba2TiRhO6 استفاده شد. بر اساس نتايج، اين تركيب در ساختار بلوري مكعبي با گروه فضايي و با ثابت شبكه 0595/8 آنگستروم متبلور مي­شود. اين تركيب يك نظم فري مغناطيسي با گشتاور مغناطيسي كل 00/1 مگنتون بوهر، از طريق برهمكنش ابرتبادلي بين يون­هاي Rh و Ti، نشان مي­­دهد. چگالي حالت­هاي الكتروني و ساختار نواري نشان دادند كه در تركيب Ba2TiRhO6 با استفاده از تقريب GGA خصلت فلزي مشاهده مي­شود، در حالي كه با استفاده از تقريب mBJ-GGA رفتار نيمه فلزي (HM) مشاهده مي­شود. با توجه به اينكه مقدار قطبش اسپيني با استفاده از روش mBJ-GGA برابر 100% به­دست آمد، مي­توان نتيجه گرفت كه اين تركيب مي­تواند در صنعت اسپينترونيك مناسب باشد