طراحي تقويت كننده عملياتي گيت محور CMOS با ولتاژ بسيار پايين و با كارايي بالا

Design of very low-voltages and high-performance CMOS gate-driven operational amplifier

اين مقاله توصيف و تجزيه و تحليل طراحي و نتايج شبيه‌سازي مبتني بر HSPICE منابع تغذيه با ولتاژ بسيار پايين (LVs) و مدار تقويت‌كننده عملياتي (Op-Amp) مبتني بر گيت CMOS (GD) را ارائه مي‌كند. مدار LVs CMOS GD Op-Amp با استفاده از پارامترهاي فناوري CMOS 90 نانومتري و تكنيك كاسكود تا شده (FC) كه در مرحله ورودي ديفرانسيل به كار گرفته شده ، طراحي شده است. نتايج شبيه‌سازي HSPICE نشان مي‌دهد كه بهره كلي 73.1 دسي‌بل، پهناي باند بهره واحد 14.9MHz، حاشيه فاز 61، اتلاف توان كل 0.91mW، نوسان ولتاژ خروجي از -0.95V تا 1V است، حالت مشترك نسبت 84.2dB است، ولتاژ نويز ارجاعي معادل ورودي 50.94nv/√HZ در فركانس 1MHZ، نرخ چرخش مثبت 11.37V/μS نرخ انحراف منفي 11.39V/µSزمان نشست 137ns است. نسبت منبع تغذيه مثبت 74.2dB ، و نسبت منبع تغذيه منفي 80.1dBاست. مقايسه نتايج شبيه‌سازي در ولتاژهاي منبع تغذيه ±1Vو ±0.814Vمدار بسيار LV CMOS GD Op-Amp نشان مي‌دهد كه مدار با مشخصات عملكرد عالي عمل مي‌كند و براي بسياري از كاربردهاي قابل توجهي كه براي CMOS Op-Amp در LVs بسيار مناسب است .