اثر درصد تزريق عنصر B در نانونوار ژرمنن دسته صندلي روي خواص الكترونيكي آن

The effect of the percentage of B doping into armchair germanene nanoribbons on its electronic properties

در اين مقاله، تاثير تزريق عنصر B در نانونوار ژرمنن دسته صندلي بر خواص الكترونيكي آن را بررسي كرديم. نانونوار ژرمنن دسته صندلي كه با ۲F در لبه ها عامل دار شده است، يك نيمه رسانا با گاف انرژي 0.12eV است. با تزريق عنصر B در آن، خواص الكترونيكي آن تغيير مي كند و از نيمه رسانا به رسانا تبديل مي شود. در هر سه نمونه رفتار مقاومت ديفرانسيلي منفي مشاهده مي شود. اولين پديده مقاومت ديفرانسيلي منفي در دو نمونه GeNR-1B و GeNR-2B در ولتاژ حدود 0.2V اتفاق مي افتد و اين پديده براي نمونه GeNR در ولتاژ حدود 0.8V اتفاق مي افتد. بيشترين نسبت قله به دره مربوط به نمونه GeNR-1B است.

In this paper, we investigate the effect of B doping on the electronic properties of armchair germanene nanoribbon. The armchair germanene nanoribbon funcinalaized by 2F is a semiconductor with an energy bandgap 0.12eV. By doping B element, its electronic property changes and transits from semiconductor to metal. We observe the negative differential resistance for the all three samples. The first negative differential resistance for GeNR-1B and GeNR-2B occurs at the voltage 0.2V and this phenomenon for GeNR occurs at the voltage 0.8V. The most value of peak-to-valley ratio belongs to GeNR-1B.