اثر پارامترهاي ليزر بر بازده هماهنگ مراتب بالا از برهمكنش با نيم رساناي دي سلنيدتنگستن

Effect of laser parameters on high harmonic yield via interaction with WSe2 semiconductor

چكيده - در اين پژوهش طيف هماهنگ مراتب بالا براي ساختار نيم رساناي دي سلنيد تنگستن با بكار بردن رهيافت تابعي چگالي وابسته به زمان مطالعه شده است كه در آن ابتدا هماهنگ قطع به ازاي تغيير  دامنه ميدان الكتريكي بررسي شده است كه نتايج نشان مي دهد به ازاي افزايش دامنه ميدان الكتريكي هماهنگ قطع به صورت  خطي  افزايش مي يابد. سپس با بررسي اثر تغيير طول موج  بر بازده هماهنگ مراتب بالا ملاحظه  گرديد  بازده هماهنگ مراتب بالا در بازه تا  4 الكترون ولت به صورت نمايي كاهش مي يابد.

Abstract - In this research, the high harmonic generation spectrum for the Tungsten Diselenide semiconductor structure has been studied using the time-dependent density-functional theory, which the results show the measured high-energy cutoff as a function of the drive-laser field. We find that the cutoff frequency behaves linearly by increasing the driving laser field. Then, by exploring the effect of laser wavelength on the high harmonic yield, it is observed that with increasing the laser wavelength the harmonic yield decreases exponentially in the range of 2 to 4 eV.